低、常温型（CH-100）霍尔效益测试仪简介

本仪器系统由可换向电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表，霍耳探头、标准样品组成。CH-100霍尔效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。还可单独做恒流源、微伏表使用。

可用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，薄膜或体材料均可，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

主要技术指标：

磁场：大于20000高斯

样品电流：50纳安~50毫安（可扩展）

测量电压：0.1微伏~19.999毫伏

各级别霍尔器件（灵敏度与精度不同）

最小分辨率：0.01G

磁场范围：0-2T

配合高斯计或数采板可计算机通讯

使学生深刻了解霍尔效应的原理及现象